Micron начала тестовое производство памяти DDR5
Руководство компании Micron сообщило о первых этапах тестового производства чипов памяти DDR5, обозначив новую отметку на пути к производству следуюшего поколения продуктов.
Новое поколение оперативной памяти не только удвоит скорость передачи данных, но и позволит повысить емкость чипов. По предварительным прогнозам, производительность может вырасти до 85% и даже выше — как для потребительского, так и серверного рынков.
Предполагается, что плотность RAM вырастет с 2-16 ГБ у DDR4 до 8-64 ГБ на DDR5. Micron планирует производить чипы по технологии 1 znm. При этом передача данных составит 3200-6400 МТ/с.
Что не менее важно, DDR5 будет использовать два полностью независимых канала 32/40 бит на модуль.
Micron утверждает, что новое поколение памяти снизит энергопотребление, а также будет иметь повышенную стабильность и надежность. По словам старшего вице-президента и генерального менеджера Micron Тома Эби, дата-центры смогут значительно повысить свою производительность благодаря высококачественной памяти.
- Micron ожидает, что GDDR7 улучшит производительность трассировки лучей и растеризации более чем на 30% по сравнению с предыдущим поколением VRAM